PERT solcelle | Alt du trenger å vite
PERT solcelle | Alt du trenger å vite
PERT-solceller er rangert høyt blant de super-høyeffektive solenergiteknologiene som kan inkorporeres i mono-ansikts- og bifacial-solcelledesign.
Selv om PERT-solceller er litt dyrere å produsere enn deres konvensjonelle silisiummotstykker og primært brukes i nisjeindustrier som solbiler eller romfartsapplikasjoner, streber alle solcelleprodusenter etter å bygge og markedsføre dem med en intensjon om å gi high-end og kvalitative løsninger til sine forbrukere. Bifacial solceller får enorm popularitet. Hvis de er pent plassert i åpne områder eller flate overflater, kan de absorbere lys og være i stand til å produsere elektrisk energi fra begge overflatene - og levere opptil 30 % økt utbytte enn dine konvensjonelle celler.
PERT-solceller: Hvordan fungerer de?
PERT står for Passivert emitter bak fullstendig diffusert celler. De har fått en diffus bakoverflate, noe som er et drastisk skifte fra de konvensjonelle motpartene som bruker aluminiumslegeringen BSF. Enkelt sagt, emitteren til en p-type basert wafer er skapt av fosfordiffusjon, og BSF oppnås gjennom bordoping i p-PERT.
PERT-celler er immune mot lysindusert obliterasjon og kan akklimatisere seg til en bifacial celleform. Disse har nylig vekket interessen til solenergisektoren og forskningsuniversiteter. PV-forskere prøver alternative cellearkitekturer for å forbedre effektiviteten til industrielt brukbare Si-solceller - spesielt nå som den svært relevante PERC-strukturen ser ut til å ha nådd platået til sin mulige effekttransformasjonseffektivitetsterskel.
Under normale parametere for AM1.5-spektrum ved 25 °Celcius temperatur, høyeffektiv passivert emitter; Passivert emitter bak fullstendig diffusert celler oppnådde en energikonverteringseffektivitet på rundt 25 prosent. Dette er det mest lovende energikonverteringseffektivitetstallet som noen gang er registrert for en silisiumcelle basert på et ikke-FZ silisiumsubstrat. Den milde bordiffusjonen i cellestrukturen til PERT-cellen reduserte ikke bare cellens seriemotstand, men økte også åpen kretsspenning.
PERC, som står for passivert emitter bakre kontaktstruktur, har et lokalisert bakoverflatefelt, som er den primære differensiatoren mellom en p-type PERC og en n-type PERT (BSF). BSF er avlet under metallsamfyringsoperasjoner ved å dope Al inn i Si. Ved å etablere høy-lav-sammenheng med p-type Si base wafer, hjelper BSF med å forbedre solcelleeffektiviteten. Minoritetsløpere blir frastøtt av denne lenken, som hindrer dem i å koble seg til igjen på Si waferens bakoverflate.
Bakoverflaten til en PERT-struktur er tvert imot "fullstendig diffusert" med bor (p-type) eller fosfor (n-type). PERT solcelleteknologi er mest brukt i n-type Si-celler. Dette er for å dra nytte av den overlegne tåleevnen for metallisk forurensning, lav temperaturkoeffisient og redusert lysindusert reduksjon av n-type Si-skiver i forhold til p-type Si-skiver. Fordi hoveddelen av en n-type wafer er lastet med fosfor, minimeres den lysinduserte nedbrytningen i n-type Si, antagelig på grunn av lavere bor-oksygen-paringer.
Til tross for dette, krever den "helt diffuse" BSF bruk av innovative metoder som høytemperatur POCL og BBr3 diffusjon. Som et resultat er det dyrere å produsere PERT-solceller enn PERC.
Likevel, den Passivert emitter bak fullstendig diffusert cellenes full-areal BSF kan gi en mer effektiv høy-lav overgangspassiveringsgjengivelse enn PERCs avgrensede, grovere Al-baserte BSF. Den tunneloksid-passiverte kontaktstrukturen (TOPCON) kan også integreres med n-type PERT. Den har muligheten til å lette enhetens utgang enda mer.
På grunn av Si-substratfjæringen med forlenget minoritetslevetid og ingen BO-kompleks assosiert nedbrytning, stiger N-type silisiumsolceller jevnt og trutt høyt på popularitetslistene. På grunn av enkel behandling er Bifacial Passivation Emitter og PERT n-type solceller svært effektive løsninger som lett kan industrialiseres. Genereringen av P+-emittere var en av de bemerkelsesverdige PERT-teknikkene. I årevis har BBr3-diffusjon blitt etablert for masseproduksjon, men n-type solcelle-industrialisering har blitt hemmet av dopinghomogenitet og prosessintegrasjon. Kombinasjonen av spinnbelegg med borblekk og POCl3-diffusjon i n-PERT-solceller ble studert og dokumentert i en Forskningspapir. Solceller med en bifasialitet på mer enn 90 prosent ble funnet å ha en effektivitet på over 20.2 prosent, ifølge funnene.
n-type bifacial PERT solcelle kan produseres ved hjelp av en prosessflyt som inkluderer en ioneimplantasjon for ensidig doping. Det fører til enestående kvalitet og konsistens på emitter-krysset.
PERT solceller gir flere fordeler, hvorav de fleste er oppført som under:
● I motsetning til PERC-solceller, oppnår PERT-versjonen høy effektivitet gjennom passivering på multimateriale, dvs. Boron BSF PERT multi-tak, uten lysindusert degradering (LID).
● Eierkostnaden er den samme som for PERC-celler.
● PERT-linjen kan også brukes for mono- eller bifacial celler, noe som gir den mye allsidighet.
PERT-solceller produseres ved hjelp av en rekke innovative metoder og kombinasjoner for å optimalisere særegne celletyper. I mer enn ti år har nye smarte teknologier som Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD)-systemer vært viet til produksjon for å gjøre varer med høy akseptabilitet. I tillegg, ved bruk av den horisontale rørovnen, gis fosforemitter og bor BSF i en enkelt varmesyklus, noe som resulterer i kortere syklusvarighet. Fordi Passivert emitter bak fullstendig diffusert celler kan også brukes i tradisjonelle bakside-moduler, rekonfigurering av produksjonslinjen til å gå fra mono-ansikts- til to-facial-produksjon er en jobb på bare noen få timer.
Tidligere:Hva er en HJT solcelle?