De viktigste forskjellene mellom N-type og P-type monokrystallinske silisiumskiver for solcelle
Hovedforskjellene mellom monokrystallinske silisiumskiver av N-type og P-type for solcelleanlegg
Monokrystallinske silisiumskiver har de fysiske egenskapene til kvasimetaller, med svak ledningsevne, og deres ledningsevne øker med økende temperatur. De har også betydelige halvledende egenskaper. Ved å dope ultrarene monokrystallinske silisiumskiver med små mengder bor, kan konduktiviteten økes for å danne en silisiumhalvleder av P-type. På samme måte kan doping med små mengder fosfor eller arsen også øke ledningsevnen, og danne en N-type silisiumhalvleder. Så, hva er forskjellene mellom P-type og N-type silisiumskiver?
Hovedforskjellene mellom monokrystallinske silisiumskiver av P-type og N-type er som følger:
Dopingmiddel: I monokrystallinsk silisium gjør doping med fosfor det til N-type, og doping med bor gjør det til P-type.
Konduktivitet: N-type er elektronledende, og P-type er hullledende.
Ytelse: Jo mer fosfor dopes inn i N-type, jo flere frie elektroner er det, jo sterkere ledningsevne, og jo lavere resistivitet. Jo mer bor er dopet inn i P-type, jo flere hull genereres ved å erstatte silisium, jo sterkere ledningsevne, og jo lavere resistivitet.
For tiden er P-type silisiumskiver hovedproduktene i solcelleindustrien. P-type silisiumskiver er enkle å produsere og har lave kostnader. N-type silisiumskiver har vanligvis lengre levetid for minoritetsbærere, og effektiviteten til solceller kan gjøres høyere, men prosessen er mer komplisert. N-type silisiumskiver er dopet med fosfor, som har dårlig løselighet med silisium. Under stavtrekking er fosfor ikke jevnt fordelt. P-type silisiumskiver er dopet med bor, som har en lignende segregeringskoeffisient som silisium, og jevnheten i spredningen er lett å kontrollere.